三星电子宣布量产1Tb QLC V-NAND存储芯片

2024-09-15 11:29:42 - 环球网

来源:环球网

【环球网科技综合报道】9月15日消息,近日,三星电子宣布已开始量产其最新的NAND芯片——1Tb(太比特)四层单元(QLC)第九代垂直NAND(V-NAND)。

三星电子宣布量产1Tb QLC V-NAND存储芯片

三星官网

继今年4月首次量产9th-GenTLCV-NAND之后,三星再次引领行业,推出更高存储密度的QLC解决方案。这项新技术允许每个存储单元存储4位数据,从而在物理芯片上实现更高的存储密度。

三星电子宣布量产1Tb QLC V-NAND存储芯片

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三星电子的QLC9th-GenV-NAND采用了多项创新技术,包括行业领先的通道孔蚀刻技术,该技术通过双堆栈结构实现了业界最高的层数。此外,通过优化存储单元面积和外围电路,与上一代QLCV-NAND相比,位密度提高了约86%。这些技术进步不仅提升了写入速度,还分别将读取和写入功耗降低了30%和50%。

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三星电子执行副总裁兼闪存产品与技术负责人SungHoiHur表示:“随着企业级SSD市场的快速增长,以及对AI应用需求的不断增加,我们通过QLC和TLC9th-GenV-NAND的推出,将继续巩固我们在高性能固态硬盘市场的领导地位。”

三星计划将QLC9th-GenV-NAND的应用范围从消费级产品扩展到移动通用闪存(UFS)、个人电脑和服务器SSD,以满足包括云服务提供商在内的广泛客户需求。

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